863計劃新材料領域“藍綠色垂直腔面發(fā)射半導體激光器”課題近日取得重大突破，在我國（除臺灣地區(qū)外）首次實現(xiàn)了室溫光泵條件下氮化物面發(fā)射激光器（VCSEL）的受激發(fā)射，所得器件重要性能指標超過了國際報道的最好水平。這標志著我國氮化物面發(fā)射激光器研究已進入世界先進行列。
      該成果由廈門大學、中國科學院半導體研究所和廈門三安電子有限公司組成的合作研究團隊，經(jīng)過將近一年的艱苦研發(fā)，攻克高質量增益區(qū)材料的生長、高反射介質膜分布布拉格反射鏡的制作和藍寶石襯底剝離等關鍵技術難題后得以實現(xiàn)。所使用的增益區(qū)是研究團隊自主設計的由納米級尺寸氮化物量子阱材料構成的新型特殊結構，利用該結構容易獲得光場波峰與增益區(qū)峰值高的匹配因子，使激射閾值降低了一個量級。激光剝離后氮化物材料的表面平整度小于幾個納米，可以直接沉積反射鏡，免除了減薄拋光工藝，簡化了制作過程。該研究得到激射峰值波長449.5納米，激射閾值6.5毫焦/平方厘米，半高寬小于0.1納米。以上結果在國際上處于前沿先進水平。
      氮化物面發(fā)射激光器在激光顯示、激光照明、激光高密度存儲、激光打印，水下通信等方面有著廣闊的應用前景。該成果為進一步研制實用化氮化物面發(fā)射激光器奠定了重要的基礎。